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2018年DRAM资本支出将增至229亿美元 九月市场及平均售价增长减缓
2018-10-17

  根据过往数据推测,DRAM(动态随机存取存储器)平均售价(ASP)和其市场增长将放缓,供应商正保持谨慎态度,并随时准备调整资本扩张计划。

  IC Insights在一份9月更新的报告中披露,在过去两年中,DRAM制造商一直在以接近满载的速度运作存储器晶圆厂,这导致DRAM价格稳步上升并为供应商带来可观的利润。下图1显示,2018年8月DRAM的平均售价达到了6.79美元,比两年前也就是2016年8月的平均售价增长了165%。虽然今年的DRAM平均售价增速已经放缓,但2018年前八个月仍保持稳定上升趋势。

  图一

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  DRAM市场以周期性明显而闻名,在经历了两年的强劲增长之后,过往数据有力表明DRAM平均售价(和市场)增长将很快开始下降。表明DRAM平均价格即将下滑的一个现象是厂商们投入DRAM的资本连年大幅增加,主要用于扩大或增加新晶圆厂产能(见下图2)。2017年DRAM资本支出增长了81%至163亿美元,预计今年将再增加40%至229亿美元。与此同时资本支出通常会导致大幅新增产能,随之价格快速下降。

  图二

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  然而,现在状况略有不同,用于升级的支出大涨一般会导致生产率大幅提高,而如今顶级DRAM供应商所用的低于20纳米工艺节点产品生产率与前几代产品相比要低得多。

  在今年早些时候举行的分析师日活动中,美光提供的数据显示,制造低于20纳米节点的DRAM需要增加35%的掩模层数,每个关键掩模层会增加110%的非光刻步骤,并且每个晶圆的洁净室空间将增加80%(由于制造≤20纳米的器件需要更多的设备,而这些设备又比上一代占更大的面积)。在转换到较小的技术节点之后,先前平均为50%的位体积增加,制作≤20nm节点器件需考虑这部分因素。而最终,供应商必须投入更多资金才能减少比特量输出。因此,最近资本支出虽然异常上升,但市场可能不会像过去一样出现产能过剩的情况。

  如图2所示,预计2018年DRAM平均售价将上涨38%至6.65美元,但IC Insights预测随着市场额外产能出现和供应限制开始放缓,DRAM市场增长将会降温。同时,由于预计客户需求疲软,三星和SK Hynix据称于2018年第3季度将推迟部分扩张计划。

  当然,DRAM市场发展关键是中国初创公司未来几年将扮演的市场角色和带来的影响。据估计,中国约占DRAM市场的40%,约占闪速存储器市场的35%。

  至少有两家中国集成电路供应商Innotron和JHICC将加入今年的DRAM市场。虽然中国的产能和制造工艺最初不会与三星、SK海力士或美光相媲美,但中国创业公司的发展以及它们是否只为中国的国家利益服务或者它们也将扩展到满足全球需求,这些方面都引人注意。

(文章来源:前瞻网)

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